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2SA1680(T6DNSO,F,M

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2SA1680(T6DNSO,F,M

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부품 번호 2SA1680(T6DNSO,F,M
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
설명 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
데이터시트

2SA1680(T6DNSO,F,M 데이터시트

패키지 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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2SA1680(T6DNSO,F,M사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
패키지TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
계열-
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)2A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 2V
전력 - 최대900mW
빈도 - 전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급 업체 장치 패키지TO-92MOD

2SA1680(T6DNSO,F,M는 데이터 시트

2SA1680(T6DNSO,F,M Packaging

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2SA1680(T6DNSO,F,M FAQ

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부품 번호 제조업체 설명 재고

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D# 2SA1680(T6DNSOFM-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

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