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부품 번호 2SD2206(T6CANO,F,M
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
설명 TRANS NPN 2A 100V TO226-3
데이터시트

2SD2206(T6CANO,F,M 데이터시트

패키지 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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2SD2206(T6CANO,F,M사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
패키지TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
계열-
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)2A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)100V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 1A, 2V
전력 - 최대900mW
빈도 - 전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급 업체 장치 패키지TO-92MOD

2SD2206(T6CANO,F,M는 데이터 시트

2SD2206(T6CANO,F,M Packaging

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2SD2206(T6CANO,F,M FAQ

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D# 2SD2206(T6CANOFM-ND

Toshiba America Electronic Components

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