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APTGT100DA120D1G

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참조 용으로 만 사용

부품 번호 APTGT100DA120D1G
제조업체 Microsemi Corporation
설명 IGBT 1200V 150A 520W D1
데이터시트

APTGT100DA120D1G 데이터시트

패키지 D1
ECAD
재고 3,600 piece(s)
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APTGT100DA120D1G사양

제조업체Microsemi Corporation
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - IGBT - 모듈
패키지D1
ECAD
계열-
IGBT 형Trench Field Stop
구성Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)150A
전력 - 최대520W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce7nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Chassis Mount
패키지 / 케이스D1
공급 업체 장치 패키지D1

APTGT100DA120D1G는 데이터 시트

APTGT100DA120D1G Packaging

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Packing
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APTGT100DA120D1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTGT100DA120D1G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the APTGT100DA120D1G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of APTGT100DA120D1G?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT100DA120D1G.
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