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BUK751R8-40E,127

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부품 번호 BUK751R8-40E,127
제조업체 Nexperia USA Inc.
설명 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
데이터시트

BUK751R8-40E,127 데이터시트

패키지 TO-220-3
ECAD
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BUK751R8-40E,127사양

제조업체Nexperia USA Inc.
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-220-3
ECAD
계열Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs145nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11340pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)349W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

BUK751R8-40E,127는 데이터 시트

BUK751R8-40E,127 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK751R8-40E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Rochester Electronics LLC

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

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Now Nexperia BUK751R8-40E - Power Field-Effect Transistor, 120A, 40V, 0.0018ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

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