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BUK9E4R9-60E,127

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BUK9E4R9-60E,127

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부품 번호 BUK9E4R9-60E,127
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
데이터시트
패키지 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
재고 7,888 piece(s)
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BUK9E4R9-60E,127사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs65nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9710pF @ 25V
Vgs (최대)±10V
FET 기능-
전력 발산 (최대)234W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지I2PAK
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK9E4R9-60E,127 Packaging

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Packing
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  • 1. How to order BUK9E4R9-60E,127 on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK9E4R9-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Transistor MOSFET N-Channel 60V 100A 3-Pin TO-262 - Bulk (Alt: BUK9E4R9-60E,127)

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D# 2156-BUK9E4R9-60E127-NX-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

286
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Rochester Electronics LLC

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329
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NXP Semiconductors

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632
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Now Nexperia BUK9E4R9-60E - Power Field-Effect Transistor, I2PAK

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