부품 번호 | FD900R12IP4D |
---|---|
제조업체 | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
설명 | IGBT MODULE VCES 1200V 900A |
데이터시트 | |
패키지 | - |
ECAD | |
재고 | 7,584 piece(s) |
단가 | Request a Quote |
리드 타임 | 확인하려면 |
예상 배달 시간 | 11월 10 - 11월 15 (신속 배송 선택) |
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부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY - Bulk (Alt: FD900R12IP4DVBOSA1) |
0 |
FD900R12IP4DBOSA1 D# FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY - Trays (Alt: FD900R12IP4DBOSA1) RoHS: Compliant
|
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D D# SP000721122 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 900A 10-pin PRIME2-1 (Alt: SP000721122) |
0 |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# SP001156314 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY (Alt: SP001156314) |
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
IGBT Module, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:900A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:5.1kW, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:10, Packaging:Each , RoHS Compliant: Yes |
2 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# 2156-FD900R12IP4DVBOSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
FD900R12 - INSULATED GATE BIPOLA |
3 |
FD900R12IP4DBOSA1 D# FD900R12IP4DBOSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 900A 5100W |
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3 |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1725 |
FD900R12IP4DV |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
380 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D D# 641-FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules IGBT 1200V 900A |
3 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DBOSA1 D# 38AH8368 |
Infineon Technologies AG |
PP IHM I XHP 1 7KV RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3
Container: Bulk
|
3 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
1200V, N-CHANNEL IGBT |
1 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
FD900R12 - Insulated Gate Bipolar Transistor Module RoHS: Compliant
|
3 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4DV |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
341 |
FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
98 |
FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
101 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
10952 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
FD900R12IP4D D# 1833577 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, HIG POW, 1200V, 900A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123
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