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FDFME2P823ZT

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부품 번호 FDFME2P823ZT
제조업체 Fairchild/ON Semiconductor
설명 MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
데이터시트

FDFME2P823ZT 데이터시트

패키지 6-UFDFN Exposed Pad
ECAD
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FDFME2P823ZT사양

제조업체Fairchild/ON Semiconductor
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지6-UFDFN Exposed Pad
ECAD
계열PowerTrench?
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds405pF @ 10V
Vgs (최대)±8V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 발산 (최대)1.4W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지6-MicroFET (1.6x1.6)
패키지 / 케이스6-UFDFN Exposed Pad

FDFME2P823ZT는 데이터 시트

FDFME2P823ZT Packaging

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Packing
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FDFME2P823ZT FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDFME2P823ZT is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDFME2P823ZT price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# FDFME2P823ZT

ON Semiconductor

- Bulk (Alt: FDFME2P823ZT)

RoHS: Compliant
0
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Fairchild Semiconductor Corporation

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin MicroFET T/R

5000
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D# 2156-FDFME2P823ZT-ND

Rochester Electronics LLC

2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET

40000
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FDFME2P823ZT

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

46000
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM Immediate delivery

59250
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D# NS-FDFME2P823ZT

Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

3799
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Fairchild Semiconductor Corporation

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A, 20V, P-Channel MOSFET

RoHS: Compliant
40000
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

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