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FQD10N20CTM_F080

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참조 용으로 만 사용

부품 번호 FQD10N20CTM_F080
제조업체 Fairchild/ON Semiconductor
설명 MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
데이터시트

FQD10N20CTM_F080 데이터시트

패키지 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
재고 3,424 piece(s)
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FQD10N20CTM_F080사양

제조업체Fairchild/ON Semiconductor
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
계열QFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds510pF @ 25V
Vgs (최대)±30V
FET 기능-
전력 발산 (최대)50W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs360 mOhm @ 3.9A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD10N20CTM_F080는 데이터 시트

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FQD10N20CTM_F080 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD10N20CTM_F080 is from the original manufacturer or authorized agents?
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