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HGT1S12N60A4S9A

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HGT1S12N60A4S9A

참조 용으로 만 사용

부품 번호 HGT1S12N60A4S9A
제조업체 Fairchild/ON Semiconductor
설명 IGBT 600V 54A 167W TO263AB
데이터시트

HGT1S12N60A4S9A 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
재고 2,432 piece(s)
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HGT1S12N60A4S9A사양

제조업체Fairchild/ON Semiconductor
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - IGBT - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열-
IGBT 형-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)54A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)96A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력 - 최대167W
스위칭 에너지55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지78nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C17ns/96ns
시험 조건390V, 12A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지TO-263AB

HGT1S12N60A4S9A는 데이터 시트

HGT1S12N60A4S9A Packaging

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Packing
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HGT1S12N60A4S9A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that HGT1S12N60A4S9A is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HGT1S12N60A4S9A price and inventory displayed accurate?
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Fairchild Semiconductor Corporation

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RoHS: Not Compliant
0
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D# HGT1S12N60A4S9ATR-ND

ON Semiconductor

IGBT 600V 54A 167W TO263AB

0
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

863
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

1334
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OEM/CM ONLY

766
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