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IPB120N06S4H1ATMA1

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부품 번호 IPB120N06S4H1ATMA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
데이터시트

IPB120N06S4H1ATMA1 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
재고 6,976 piece(s)
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IPB120N06S4H1ATMA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열OptiMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds21900pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)250W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 100A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB120N06S4H1ATMA1는 데이터 시트

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB120N06S4H1ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB120N06S4H1ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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