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IPD50N06S2L13ATMA1

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IPD50N06S2L13ATMA1

참조 용으로 만 사용

부품 번호 IPD50N06S2L13ATMA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
데이터시트

IPD50N06S2L13ATMA1 데이터시트

패키지 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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IPD50N06S2L13ATMA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
계열OptiMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 80µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs69nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)136W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs12.7 mOhm @ 34A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N06S2L13ATMA1는 데이터 시트

IPD50N06S2L13ATMA1 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD50N06S2L13ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD50N06S2L13ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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