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PDTD113ZK,115

PDTD113ZK,115

PDTD113ZK,115

참조 용으로 만 사용

부품 번호 PDTD113ZK,115
제조업체 NXP
설명 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
데이터시트

PDTD113ZK,115 데이터시트

패키지 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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PDTD113ZK,115사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
패키지TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
계열-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)500nA
빈도 - 전환-
전력 - 최대250mW
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지SMT3; MPAK

PDTD113ZK,115는 데이터 시트

PDTD113ZK,115 Packaging

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PDTD113ZK,115 FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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D# PDTD113ZK,115-ND

NXP Semiconductors

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

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