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PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

참조 용으로 만 사용

부품 번호 PHD21N06LT,118
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
데이터시트

PHD21N06LT,118 데이터시트

패키지 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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PHD21N06LT,118사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs9.4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 25V
Vgs (최대)±15V
FET 기능-
전력 발산 (최대)56W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs70 mOhm @ 10A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PHD21N06LT,118는 데이터 시트

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PHD21N06LT,118 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHD21N06LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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