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PHD34NQ10T,118

PHD34NQ10T,118

PHD34NQ10T,118

참조 용으로 만 사용

부품 번호 PHD34NQ10T,118
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
데이터시트
패키지 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
재고 4,256 piece(s)
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PHD34NQ10T,118사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1704pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)136W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs40 mOhm @ 17A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PHD34NQ10T,118 Packaging

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Packing
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PHD34NQ10T,118 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of PHD34NQ10T,118?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PHD34NQ10T,118.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

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