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PSMN009-100W,127

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참조 용으로 만 사용

부품 번호 PSMN009-100W,127
제조업체 NXP
설명 MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
데이터시트

PSMN009-100W,127 데이터시트

패키지 TO-247-3
ECAD
재고 4,384 piece(s)
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PSMN009-100W,127사양

제조업체NXP
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-247-3
ECAD
계열TrenchMOS?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs214nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9000pF @ 25V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)300W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs9 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

PSMN009-100W,127는 데이터 시트

PSMN009-100W,127 Packaging

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Sealing
Packing
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PSMN009-100W,127 FAQ

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