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SI1305EDL-T1-GE3

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SI1305EDL-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI1305EDL-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
데이터시트

SI1305EDL-T1-GE3 데이터시트

패키지 SC-70, SOT-323
ECAD
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SI1305EDL-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지SC-70, SOT-323
ECAD
계열-
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)8V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)860mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±8V
FET 기능-
전력 발산 (최대)290mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs280 mOhm @ 1A, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지SC-70-3
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

SI1305EDL-T1-GE3는 데이터 시트

SI1305EDL-T1-GE3 Packaging

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SI1305EDL-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1305EDL-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1305EDL-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1305EDL-T1-GE3?
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