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SI2306BDS-T1-GE3

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SI2306BDS-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI2306BDS-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
데이터시트

SI2306BDS-T1-GE3 데이터시트

패키지 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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SI2306BDS-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs4.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds305pF @ 15V
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)750mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs47 mOhm @ 3.5A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2306BDS-T1-GE3는 데이터 시트

SI2306BDS-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI2306BDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2306BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2306BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2306BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2306BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2306BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2306BDS-T1-GE3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V72:2272_09216787

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
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D# 16P3706

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 16P3706)

0
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D# SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2306BDS-T1-GE3)

0
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SI2306BDS-T1-GE3

D# SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2306BDS-T1-GE3)

0
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Vishay Intertechnologies

9000
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SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Si2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236

0
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 30V 4A 3V @ 250uA 47mohms @ 3.5A,10V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

1317
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2306BDS-T1-GE3

D# SI2306BDS-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

6059
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SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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SI2306BDST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

10710
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Vishay Huntington

In Stock

9000
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D# C48657

Vishay Intertechnologies

817
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

500000
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D# 781-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant
2560
부품 번호 제조업체 설명 재고

SI2306BDS-T1-GE3

D# 16P3706

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.065ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1187

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D# 30AC0137

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.16A, On Resistance Rds(on):0.038ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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D# NS-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

9082
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SI2306BDST1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

12016
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IN stock Immediate delivery

499985
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D# 31084367

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Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0

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