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SI3467DV-T1-GE3

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SI3467DV-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI3467DV-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
데이터시트

SI3467DV-T1-GE3 데이터시트

패키지 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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SI3467DV-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)1.14W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs54 mOhm @ 5A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3467DV-T1-GE3는 데이터 시트

SI3467DV-T1-GE3 Packaging

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SI3467DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3467DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3467DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3467DV-T1-GE3?
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