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SI3983DV-T1-GE3

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SI3983DV-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI3983DV-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
데이터시트

SI3983DV-T1-GE3 데이터시트

패키지 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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SI3983DV-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
패키지SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력 - 최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지6-TSOP

SI3983DV-T1-GE3는 데이터 시트

SI3983DV-T1-GE3 Packaging

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SI3983DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3983DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3983DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3983DV-T1-GE3?
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