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부품 번호 | SI4463BDY-T1-GE3 |
---|---|
제조업체 | Vishay Siliconix |
설명 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC |
데이터시트 | |
패키지 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
재고 | 7,136 piece(s) |
단가 | Request a Quote |
리드 타임 | 확인하려면 |
예상 배달 시간 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
견적 요청 |
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지불 방법 | |
배달 서비스 |
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부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# V36:1790_09216502 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3) |
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC |
676 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# SI4463BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO |
809 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 1871351 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2460 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
2067 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 781-SI4463BDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V RoHS: Compliant
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2275 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# 26R1879 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:13.7A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 D# NS-SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4527 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2083 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SI4463BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
11 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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