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SI4866BDY-T1-E3

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SI4866BDY-T1-E3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI4866BDY-T1-E3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
데이터시트

SI4866BDY-T1-E3 데이터시트

패키지 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
재고 713,412 piece(s)
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SI4866BDY-T1-E3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs80nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5020pF @ 6V
Vgs (최대)±8V
FET 기능-
전력 발산 (최대)2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4866BDY-T1-E3는 데이터 시트

SI4866BDY-T1-E3 Packaging

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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4866BDY-T1-E3?
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