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SI6459BDQ-T1-GE3

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SI6459BDQ-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI6459BDQ-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
데이터시트

SI6459BDQ-T1-GE3 데이터시트

패키지 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
재고 3,120 piece(s)
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SI6459BDQ-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형P-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs115 mOhm @ 2.7A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지8-TSSOP
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6459BDQ-T1-GE3는 데이터 시트

SI6459BDQ-T1-GE3 Packaging

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  • 1. How to order SI6459BDQ-T1-GE3 on Heisener?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6459BDQ-T1-GE3?
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