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SI9410BDY-T1-GE3

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SI9410BDY-T1-GE3

참조 용으로 만 사용

부품 번호 SI9410BDY-T1-GE3
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
데이터시트

SI9410BDY-T1-GE3 데이터시트

패키지 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
재고 14,448 piece(s)
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SI9410BDY-T1-GE3사양

제조업체Vishay Siliconix
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
계열TrenchFET?
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
Vgs (최대)±20V
FET 기능-
전력 발산 (최대)1.5W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs24 mOhm @ 8.1A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI9410BDY-T1-GE3는 데이터 시트

SI9410BDY-T1-GE3 Packaging

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  • 6. What is the process for return or replacement of SI9410BDY-T1-GE3?
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D# V36:1790_14141481

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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MOSFET, N CH, 30V, 8.1A , SOIC

43
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D# SI9410BDY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

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