부품 번호 | SIHB12N60E-GE3 |
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제조업체 | Vishay Siliconix |
설명 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
데이터시트 | |
패키지 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD | |
재고 | 59,400 piece(s) |
단가 | Request a Quote |
리드 타임 | 즉시 배송 가능 |
예상 배달 시간 | 11월 10 - 11월 15 (신속 배송 선택) |
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부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# E02:0323_06007135 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 68W7031 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 68W7031) RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: SIHB12N60E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263 |
80 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# SIHB12N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK |
112 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
5260 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 2364071 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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205 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3330 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 78-SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) RoHS: Compliant
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1052 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 68W7031 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:12A, On Resistance Rds(on):0.32ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Cut Tape
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117 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# NS-SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4362 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 7689300 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB12N60E-GE3, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
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638 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3714 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) pbFree: Pb-Free
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
VISHY |
shipping today |
5996 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 10650183 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK RoHS: Compliant
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0 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
4857 |
부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
SIHB12N60E-GE3 D# 2364071 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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203 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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