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SKB02N60E3266ATMA1

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SKB02N60E3266ATMA1

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부품 번호 SKB02N60E3266ATMA1
제조업체 Infineon Technologies
설명 IGBT 600V 6A 30W TO263-3
데이터시트

SKB02N60E3266ATMA1 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
재고 7,968 piece(s)
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SKB02N60E3266ATMA1사양

제조업체Infineon Technologies
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - IGBT - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열-
IGBT 형NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)6A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)12A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2A
전력 - 최대30W
스위칭 에너지64µJ
입력 유형Standard
게이트 차지14nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C20ns/259ns
시험 조건400V, 2A, 118 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)130ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지PG-TO263-3

SKB02N60E3266ATMA1는 데이터 시트

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  • 2. How does Heisener guarantee that SKB02N60E3266ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Infineon Technologies AG

IGBT IC N-Channel 600V 2A 3-Pin TO-263 Surface Mount - Bulk (Alt: SKB02N60E3266ATMA1)

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D# 2156-SKB02N60E3266ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3570
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Infineon Technologies AG

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A, 600V, N-Channel

RoHS: Compliant
3000

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