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STB60NE06L-16T4

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STB60NE06L-16T4

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부품 번호 STB60NE06L-16T4
제조업체 STMicroelectronics
설명 MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
데이터시트

STB60NE06L-16T4 데이터시트

패키지 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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STB60NE06L-16T4사양

제조업체STMicroelectronics
범주이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
계열STripFET? II
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs70nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4150pF @ 25V
Vgs (최대)±15V
FET 기능-
전력 발산 (최대)150W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs14 mOhm @ 30A, 10V
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB60NE06L-16T4는 데이터 시트

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STB60NE06L-16T4 FAQ

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  • 3. Are the STB60NE06L-16T4 price and inventory displayed accurate?
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 60A I(D), 60V, 0.016OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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